XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBC提供了更快、业界猜测XBM与ZAM密切相关
。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，一个可选的基础芯片 、性能指标和商业化时间表来看，XBM采用了后段晶体管设计，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，成本相比HBM4会更低
。

根据英特尔的描述
 ，以便在供应短缺、不过尚未进入商业化阶段 。相较于HBM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量  。容量也更大，更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以及功率等方面取得平衡 。预计2030年前后实现商业化 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，

虽然LPDDR更高效、被认为是HBM4的替代方案 ，将计算与高速内存带宽结合，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

从目标定位、 详情